Anvo-Systems Dresden präsentiert SPI nvSRAM für den Automotive-Temperaturbereich

Der nicht-flüchtige Speicherbaustein ANV32E61ASA66 wurde für den Automotive-Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C spezifiziert und ist für alle Anwendungen, die in einem weiten Temperaturbereich arbeiten, prädestiniert. Bespiele dafür sind intelligente Systeme für die Industrieautomatisierung, die Robotik, das Industrial IoT-Umfeld, die Gebäudeautomatisierung, Smart Metering und Black Boxes (z. B. für Fahrzeuge).

Für einen platzsparenden Einbau ist das nvSRAM ANV32E61ASA66 in einem kompakten, RoHS entsprechenden 8 Pin 150 mil SOIC-Gehäuse untergebracht. Der Baustein kann ab sofort über Anvo-Systems Dresden bzw. die Vertriebspartner weltweit bezogen werden.

Das nvSRAM ANV32E61ASA66 mit einer Speicherkapazität von 64 Kb ist intern als 8k Worte x 8 Bit organisiert. Jede SRAM-Speicherzelle integriert ein nicht-flüchtiges SONOS Speicherelement für die Speicherung aller Daten im PowerStore-Betrieb bei einem plötzlichen Abfall der Betriebsspannung. Erreicht die Betriebsspannung wieder ihren Soll-Wert, werden automatisch die Daten erneut im SRAM gespeichert. Der nicht-flüchtige Speicher mit einer Taktrate von 66 MHz bietet wie ein Standard-SRAM unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen (R/W Endurance). Spezielle Sicherheitsfunktionen, wie z.B. Block Write Protection, Secure READ und Secure WRITE, können die Datengenauigkeit erhöhen.

Die integrierte Power Down-Funktion (Hibernate Mode) sorgt für einen geringen Stromverbrauch des Systems im Standby-Betrieb. Das serielle SPI nvSRAM ist für einen Betriebsspannungsbereich von 3,0 V – 3,6 V ausgelegt.