Hochkarätige Verstärkung für FMC

Daniel Artusi kann auf eine mehr als 40-jährige Erfahrung in der Halbleiterindustrie zurückblicken. Nach Führungspositionen bei verschiedenen Halbleiter- und Technologieunternehmen wie Conexant Systems, Coldwatt, Inc., Silicon Laboratories, Motorola Inc. und der Lantiq Deutschland GmbH, war er zuletzt Vice President in der Client Computing Group und General Manager für den Bereich Connected Home der Intel Corporation. Darüber hinaus ist er Mitglied verschiedener Vorstände, u.a. MaxLinear, Inc., Minim, GenXComm, VislC-Tech sowie im Engineering Advisory Board der Cockrell School of Engineering (University of Texas).

Daniel ist überzeugt vom Team der FMC GmbH und von der überlegenen Technologie. „Ich freue mich auf die Zusammenarbeit mit Ali Pourkeramati und dem Rest des FMC-Teams“, sagte Artusi. „FMC hat eine einzigartige und patentierte Technologie zur Umwandlung von amorphem HfO2 in kristallines ferroelektrisches HfO2 entwickelt, die im Vergleich zu modernsten und zukünftigen Speicherlösungen eine überlegene Leistung bieten kann. Diese Technologie wird erhebliche Vorteile für Anwendungen wie KI, 5G und Big Data bringen, die hohe Leistung und geringen Stromverbrauch sowie Kompatibilität mit modernsten CMOS-Logikprozessen erfordern.“

Paul-Josef Patt, CEO des Leadinvestors eCAPITAL: „Dan ist ein Veteran in der Halbleiterindustrie und wir sind stolz, dass wir ihn für eine Zusammenarbeit gewinnen konnten. Seine immense Erfahrung und Marktkenntnis wird FMC bei den nächsten Schritten auf dem Weg zur Kommerzialisierung der Technologie von großem Vorteil sein.“

Ali Pourkeramati, CEO der FMC GmbH, freut sich auf die zukünftige Zusammenarbeit: „Dan bringt umfangreiche Branchenerfahrung in unseren Beirat ein. Seine langjährige Strategie- und Führungserfahrung in der Halbleiterindustrie wird FMC zugutekommen, wenn wir die Kommerzialisierung unseres innovativen ferroelektrischen Speichers vorantreiben.“

Über die Ferroelectric Memory GmbH (FMC)
FMC hat die modernste ferroelektrische Hafniumoxid-Speichertechnologie entwickelt, um nichtflüchtige Speicher der Spitzenklasse für zukünftige Innovationen in der Elektronik und Informationstechnik zu liefern. Das Unternehmen wurde 2016 gegründet und arbeitet derzeit mit großen Halbleiterunternehmen an seiner Embedded- und Stand-Alone-Speicherlösung. Seine ferroelektrische Feldeffekttransistor- (FeFET) und Kondensator- (FeCAP) Technologie ist einfach zu integrieren, schnell, stromsparend und skalierbar, hat eine hohe Lebensdauer mit jahrzehntelanger Datenhaltung und eignet sich für eine breite Palette von KI-, IoT-, Edge-, Rechenzentrums- und Embedded-Anwendungen. Weitere Informationen unter: www.ferroelectric-memory.com