650V E-Mode GaN-Mosfet von WAYON ELECTRONICS
Si-Transistoren stoßen durch die Forderung nach höheren Wirkungsgraden und größerer Leistungsdichte zunehmend an ihre physikalischen Grenzen. WAYON kann mit dem eingesetzten Wide-Bandgap Material mit seinen niedrigen parasitären Eigenschaften und den daraus resultierenden niedrigen statischen und dynamischen Verlusten, sowie dem geringen Temperatureinfluss auf die Bauteilparameter diesen Anforderungen entsprechen. Die Bauteileverfügbarkeit und Herstellungskosten sind durch Ausnutzung von Volumeneffekten durch Verwendung geeigneter Substratmaterialien auf sehr wettbewerbsfähigem Niveau.
WAYON startet die Familie mit drei 650V-Typen mit Kanalwiderständen von 450mOhm, 225mOhm und 150mOhm im platzsparenden PDFN5060-8L Gehäusen. Zur Design-in Unterstützung sind verschiedene Evaluation-Boards auf Anfrage erhältlich.
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