Hilfsstromversorgungfür SiC Mosfets und IGBT Gate-Treiber

Das Referenzdesign liefert eine unipolare Ausgangsspannung von 15 bis 20 Volt bei 6 Watt Leistung und kann zum Beispiel in Akku-Ladegeräten, Wechselrichtern für Solaranlagen, Wechselstrommotoren oder bei Switch-Mode-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs zum Einsatz kommen.

Schaltung und Layout

Eine isolierte Hilfsstromversorgung mit geringer Leistung, typischerweise eine Flyback-, Push-Pull- oder Halbbrückentopologie, liefert den Gate-Treiberspannungspegel und die Leistung, die zum Ein- und Ausschalten des SiC-Transistors zusätzlich zur galvanischen Isolierung zwischen der Hochspannungs- und der Niederspannungsseite erforderlich ist. Die Isolierung ist nicht nur nötig, um die einschlägigen Sicherheitsnormen zu erfüllen, sondern auch, um die elektrischen Störungen durch Kopplung zwischen Primär- und Sekundärseite des Wandlers zu reduzieren und somit die EMV sowie die Stabilität der Gate-Treibersteuerung zu verbessern. Der Transformator in der Hilfsversorgung (WE-750318114) erfüllt diese Hauptaufgabe. Das Referenzdesign stellt Schaltung und Komponenten vor und zeigt verschiedene Layout-Varianten.

„Als Entwickler muss man auch in der Schaltungstechnik nicht das Rad immer wieder neu erfinden“, sagt Falco Eleazar, Application Engineer bei Würth Elektronik eiSos. „Mit unseren Referenzdesigns spart man viel Zeit und kann sich sicher sein, dass die erwähnten Bauelemente auch zuverlässig ab Lager lieferbar sind.“

Das Referenz-Design RD002 ist verfügbar unter www.we-online.com/RD002.