AIXTRON startet Bau des neuen Innovationszentrums

Feierlich begangen wurde dieser Meilenstein in der erfolgreichen Geschichte des Unternehmens beim symbolischen Spatenstich, dem Vertreter aus Politiker, Wissenschaft und Forschung sowie wichtige Lieferanten des Unternehmens beiwohnten. Den Rahmen für diese entscheidende Zäsur markierte ein Festakt anlässlich des 40-jährigen Bestehens der Firma AIXTRON. Erstmals gegründet im Dezember 1983 als Spin-off aus der RWTH Aachen steht AIXTRON von jeher an vorderster Front, wenn es um Pioniergeist und die Entwicklung neuer, wegweisender Halbleiter-Technologien geht. Das neue Innovationszentrum setzt diesen Weg fort und bildet eine wichtige Grundlage für das weitere erfolgreiche Wachstum der Firma.

„Gerade haben wir unser Portfolio mit der G10-Produktfamilie vollständig erneuert. Die Nachfrage unserer Kunden danach ist sehr groß, und wir sind mitten im Volumensramp: Jetzt beginnt die Arbeit an der nächsten Generation innovativer technischer Lösungen, um die Elektrifizierung der Welt mit den Megatrends Digitalisierung, Elektromobilität und Energieeffizienz weiter erfolgreich voranzutreiben. Das neue Innovationszentrum liefert uns dafür entscheidende Kapazitäten“, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Die Reinraumfläche des Innovationszentrum wird der Klasse ISO 6 entsprechen, erweiterbar auf bis zu ISO 4. Der neue Komplex, in der Branche als „Fab“ bezeichnet, ist eine der dichtesten und komplexesten Halbleiter-Fabs der Welt: Die Fläche besitzt zwei Unterebenen – eine sogenannte Sub-Ebene, in der u.a. die Pumpenfilterkabinette der Anlagen untergebracht werden, und die Facility Ebene für die unterstützenden Prozesse und Systeme der gesamten Infrastruktur.

Durch diese Art der Raumnutzung steigt die Reinraumeffizienz um einen Faktor von bis zu drei verglichen mit den bisher genutzten Reinraumflächen.