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Kompaktschaltnetzteile der Schutzklasse II von Magic Power
Magic Power Technology Ltd. stellt zusammen mit seinem Vertriebspartner TRS-STAR GmbH zwei neue Kompaktschaltnetzteile der Schutzklasse II (52x44x38 mm) zur Montage in Unterputzdosen vor. Beide Netzteile haben einen Wechseleingangsspannungsbereich von 180V bis 264V mit einer Single-Ausgangsspannung von 24V und einem Gesamtwirkungsgrad von bis zu 87%. Der Betriebstemperaturbereich beträgt -20°C bis +50°C ohne De-Rating. Zum Schutz externer Schaltkreise ist eine Latch-Off Überlastschutzschaltung zur Begrenzung der Spitzenausgangsleistung, sowie Kurzschluss- und Übertemperaturschutz integriert. Das nicht vergossene Netzteil MPF-B025 hat eine Ausgangsleistung von 20W und arbeitet bei einer Umgebungstemperatur von bis zu +50°C ohne De-Rating. Zusätzlich kann für 30 Sekunden die doppelte Spitzenausgangsleistung von 40W mit einem Wiederholzyklus von 10 Minuten abgerufen werden. Das…
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650V E-Mode GaN-Mosfet from WAYON ELECTRONICS
WAYON ELECTRONICS headquartered in Shanghai and manufacturer of Power Semiconductors and circuit protection devices and distribution partner of TRS-STAR GmbH is presenting its new gallium-nitride based (GaN) 650V enhancement Power Mosfets. Achieving the market demand for higher efficiency and higher power density Si-Transistors are often limited by physics. WAYON with its wide-bandgap material with low parasitic influence and therefore low static and dynamic losses as well as the small temperature influence on the device parameters is able to fulfill this market demand. Because of WAYONs´ deep manufacturing experience and the use of appropriate substrate material it´s possible to use volume effects for reaching a high cost efficiency and market availability.…
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650V E-Mode GaN-Mosfet von WAYON ELECTRONICS
WAYON Electronics, Hersteller von Überspannungsschutzkomponenten und Leistungstransistoren mit Sitz in Shanghai und Distributionspartner der TRS-STAR GmbH, stellt seine neuen, gallium-nitrit-basierten (GaN) 650V Enhancement Power Mosfets vor. Si-Transistoren stoßen durch die Forderung nach höheren Wirkungsgraden und größerer Leistungsdichte zunehmend an ihre physikalischen Grenzen. WAYON kann mit dem eingesetzten Wide-Bandgap Material mit seinen niedrigen parasitären Eigenschaften und den daraus resultierenden niedrigen statischen und dynamischen Verlusten, sowie dem geringen Temperatureinfluss auf die Bauteilparameter diesen Anforderungen entsprechen. Die Bauteileverfügbarkeit und Herstellungskosten sind durch Ausnutzung von Volumeneffekten durch Verwendung geeigneter Substratmaterialien auf sehr wettbewerbsfähigem Niveau. WAYON startet die Familie mit drei 650V-Typen mit Kanalwiderständen von 450mOhm, 225mOhm und 150mOhm im platzsparenden PDFN5060-8L Gehäusen. Zur Design-in…
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DC USV Systems from Magic Power
TRS-STAR is offering together with its partner Magic Power DC-UPS Systems suitable for building high power and fail-safe energy systems. Due to the modular concept of power supply, DC-UPS with integrated charger in combination with the separate battery the end user achieves a very flexible and scalable energy supply unit. The actual lineup consists of the 480W DIN-RAIL DC UPS Modul MPU-R485 with 20A output current and the 200W/250Wpeak DC Open Frame Modul MPU-D205 with nominal output current of 8.33A. The modul offers a 12A peak current capability for 10s maximum. Depending on lifetime and power density requirements the modules are able to work with 24V SLA batteries or optional…
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DC-USV Systeme von Magic Power
TRS-STAR bietet mit seinem Kooperationspartner Magic Power DC-USV Systeme zum Aufbau leistungsstarker und ausfallsicherer Energieversorgungssysteme an. Durch die kompakte Bauform und dem modularen Aufbau von Stromversorgung, DC-USV mit integriertem Lademodul und der Puffereinheit erhält der Anwender eine skalierbare Versorgungseinheit mit sehr hoher Flexibilität. Zur Auswahl stehen das 480W Hutschienen-DC-USV Modul MPU-R485 mit 20A Ausgangsstrom und das 200W/250Wpeak DC Open Frame Modul MPU-D205 mit nominalem Ausgangsstrom von 8.33A. Das Modul bietet eine Peakstrom Tragfähigkeit von 12A für maximal 10s. Je nach Anforderung an Lebensdauer und Leistungsdichte sind die Module entweder für den Betrieb mit 24V Bleiakkus oder mit Super- bzw. Ultracaps geeignet. Beide Modelle unterstützen die Kommunikation via USB über Software…
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New WAYON 700V Gen. 3 Superjunction Mosfet
WAYON Electronics, a manufacturer specialized on circuit protection devices and power transistors headquartered in Shanghai and distribution partner of TRS-STAR GmbH is presenting its new C4 SuperJunction Mosfet family. With the 3rd evolution of its 700V C4 Mosfet WAYON achieves a further reduction of the RDS(ON) per chip area and a reduction of the gate charge to reach one step further to higher power density and improved switching performance. The low RDS(ON) is resulting in higher system efficiency because of lower conduction losses especially for application running under full load and light input voltage. Compared to the previous part generation the optimized gate charge QG leads into a significant improvement…
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Neue WAYON 700V C4 Gen. 3 Superjunction Mosfet
WAYON Electronics, Hersteller von Überspannungsschutzkomponenten und Leistungstransistoren mit Sitz in Shanghai und Distributionspartner der TRS-STAR GmbH, stellt seine neue C4 SuperJunction Mosfet Familie vor. Mit der dritten Entwicklungsstufe seiner 700V C4 Mosfets konnte WAYON durch die Reduzierung des RDS(ON) pro Flächeneinheit und die Reduktion der Gate-Ladung einen weiteren Schritt in Richtung höherer Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance gehen. Aus dem niedrigen RDS(ON) resultieren reduzierte Leitendverluste und höhere Effizienzwerte, insbesondere bei Anwendungen, die bei niedrigen Eingangsspannungen in Volllast betrieben werden. Durch die Optimierung der Gate-Ladung QG konnte die dynamische Leistungscharakteristik hinsichtlich Schaltverlusten und Ansteuerleistung gegenüber der Vorgängergeneration ebenfalls signifikant verbessert werden. Derzeit umfasst das Portfolio Sperrspannungen von 700V mit Kanalwiderständen von 0,3…
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New Very High Voltage Rectifier Diode for Industrial & Automotive Application
EIC Semiconductor, a leading manufacturer of diodes and circuit protection devices and worldwide distribution partner of TRS-STAR GmbH based in Stutensee, Germany, has expanded its family of automotive-qualified low-loss high voltage rectifier diodes introducing the new QHURO80 in a DO-15 case. The part has the capability to handle 8kV repetitive peak reverse voltage and a maximum average forward current of 150mA at an ambient temperature TA of 50°C. At 25°C the typical forward voltage drop is 12V and the reverse recovery time is 0.3µs (100mA forward current). With this new member of its high voltage diode family EIC shows his expertise in manufacturing high quality diodes for application with high…
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Neue Hochspannungs-Gleichrichterdiode für Industrie- und Automotive-Anwendungen
EIC Semiconductor, ein führender Hersteller von Dioden und Überspannungsschutzkomponenten und weltweiter Vertriebspartner der TRS-STAR GmbH mit Sitz in Stutensee, hat seine automotive-qualifizierte Hochspannungs-Gleichrichterfamilie um die neue QHURO80 Hochspannungsdiode im DO-15 Gehäuse erweitert. Die Diode erreicht eine Spitzensperrspannung von 8kV bei einem Vorwärtsstrom von maximal 150mA bei einer Umgebungstemperatur von 50°C. Bei TA= 25°C liegt der durchschnittliche Spannungsabfall bei 12V und die Sperrverzögerungszeit bei 0.3µs (100mA Vorwärtsstrom). Typische Applikationen sind automobile/industrielle Zünd- und Einspritzsysteme, Wechselrichter, Mikrowellen und allgemein Anwendungen zur Überspannungsabsorption. Mit diesem neuen Bauteil baut EIC sein Portfolio von Bauteilen für Hochspannungsanwendungen weiter aus und zeigt seine Kompetenz als Hersteller hochwertiger Dioden für anspruchsvolle und effiziente Lösungen. Für weitere Informationen…
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New WAYON 800V/900V SuperJunction Mosfet Family
The new 800V/900V WMOS™ SuperJunction Mosfet family from WAYON Semiconductor is available from TRS-STAR GmbH. The new high-voltage power Mosfets are based on the already known multi-EPI structure. Due to the optimised structure, the devices offer higher overvoltage resistance and improved electromagnetic compatibility (EMC) at larger reverse voltages. This improvement makes switching applications more efficient and compact. The WAYON WMOS™ Mosfet family uses an improved charge-balancing technology that offers users a cost-effective alternative with little customisation effort. The new series starts with two devices in 800V/0.22Ohm and 900V/0.23 Ohm variants in various SMD and THT package options. The series will soon be extended by further components in different power classes.…
